中国AI存储芯片短缺 长鑫良率2成仍将量产

北京长鑫存储工厂入口
2026年7月27日,位于北京郊区的长鑫储存科技(CXMT)工厂入口。(Pedro Pardo/AFP via Getty Images)
扁康丸 Pyunkang

【大纪元2026年10月28日讯】(大纪元记者陈霆综合报导)路透社周三(10月28日)引述两名知情人士透露,中国最大动态随机存取存储器(DRAM)制造商长鑫存储(CXMT),计划在未来两个月内开始小规模量产用于人工智能(AI)处理器的HBM3E芯片。虽然其良率仅约20%至30%,但长鑫仍决定推进生产。

路透社指出,这项决定凸显中国先进AI存储芯片供应严重短缺。高带宽存储器(HBM)透过垂直堆叠存储芯片,与AI处理器高速交换数据,是训练及运行大型语言模型的关键组件。2024年12月,美国收紧部分先进HBM对中国的出口管制后,中国AI芯片厂商更难取得这类产品。美方出口管制也限制了长鑫取得部分先进芯片制造设备。

北京虽支持中企开发可替代英伟达(Nvidia,辉达)的中国AI处理器,但先进存储芯片供应不足,仍限制了企业扩大产量。

长鑫良率偏低 性能落后

知情人士指出,长鑫HBM3E良率约20%至30%,与韩国SK海力士约70%的良率差距明显。良率是生产出的芯片中符合规格的比例。良率偏低意味大量芯片须报废或重新加工,推高成本。

另一名知情人士指出,测试中长鑫HBM3E的性能更接近SK海力士上一代HBM3,而非其HBM3E。长鑫已向数家中国AI芯片设计商提供样品,包括标准版及旨在改善良率的更新版。

据路透社报导,中国芯片厂商因难以取得足够的先进HBM,愈来愈多透过非官方渠道采购,价格可能高出数倍。路透社上月报导,华为、寒武纪、沐曦及天数智芯因存储芯片成本问题,已将现有及下一代AI芯片价格提高20%至50%。

此前,美国商业媒体《信息报》(The Information)8月31日引述两名知情人士称,长鑫已少量生产HBM3E,计划2027年扩产。阿里巴巴旗下平头哥(T-Head)、寒武纪等企业正测试这类产品,若进展顺利,最早可能于2027年采用。

SK海力士第三季获利成长632% 扩大HBM4产能

SK海力士周三公布第三季度营收104.62万亿韩元(约合788.6亿美元)、营利83.33万亿韩元(约合628亿美元),分别较去年同期增长327.9%及632.1%,双双创季度新高,并超出市场预估。其股价当天收涨10.89%,报148.7万韩元;韩国综合股价指数(KOSPI)上涨6.63%,收报6,012.44点。

SK海力士正在扩大韩国清州M15X厂的HBM4产量,预计第四季度HBM4出货量及营收均将超越HBM3E。该公司已与14家主要客户签订长期协议,涵盖2027年及2028年超过一半的产能。

SK海力士并宣布约100万亿韩元的股东回馈计划,包括现金股息及股票回购。该公司预计,全球存储芯片供不应求的局面可能延续至2030年,计划明年大幅增加投资。

市场研究机构Counterpoint Research的数据显示,第二季度SK海力士占全球HBM营收的50%,三星占33%,美光科技(Micron)占18%;长鑫则占全球DRAM营收的10%。

SK海力士HBM4E高带宽存储芯片
2026年10月14日,韩国首尔COEX会展中心举行的一场半导体展览上,展示SK海力士(SK hynix)的HBM4E高带宽存储芯片。 (Jung Yeon-je/AFP via Getty Images)

三星已交付HBM4E样品

三星电子5月29日宣布,已向主要客户出货12层HBM4E样品;此前,其HBM4已开始量产及商业出货。三星表示,HBM4E单引脚传输速率最高达16Gbps,较HBM4提升逾20%,单堆叠带宽最高可达每秒3.6TB。

三星电子执行副总裁暨存储器研发负责人黄相俊(Sang Joon Hwang)表示:“继HBM4成功量产后,三星再次透过HBM4E展现了我们独特的技术优势。”

HBM4E目前仍处于送样及优化阶段,三星计划配合客户时程安排量产。

SK海力士也已经在6月18日交付HBM4E样品。

责任编辑:李琳#

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